准分子激光光刻相关论文
介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长......
本文设计了一种新系列的紫外或远紫外激光光刻物镜,它与国内外已有的紫外物镜相比,在365nm以下的光谱区,具有更宽的光谱工作带宽和......
用自制的聚硅烷为抗蚀剂，分别用酚醛树脂、聚氨脂树脂和醇酸树脂作平坦层以３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光为刻蚀光源，采用接近式曝光方式，通过Ｏ〈，２〉－ＲＩＥ对显影......
电子部４５所十项科研成果通过部级鉴定４月１２日，电子部４５所十项科研成果鉴定会在甘肃平凉召开。本次会议由电子工业部主持，电子部有关领导及有......
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜......
30多年来，汞弧光一直是制造集成电路的主要光刻光源。由于某些原因，这种灯对制造下一代半导体芯片并不是最佳的。下一代半导体芯片要......
详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。
The work princip......
介绍了深紫外光刻技术、电子束光刻技术、Ｘ射线光刻技术以及与这些技术相关的一些单元技术的最新进展，概要介绍了这些技术最热门的研......
光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发......
据《Semiconductor World》1992年第8期报道,日本日立制作所制作了世界上最小的256M DRAM存储单元。 该存储单元的设计规格为0.25......
据美国《Semiconductor International》杂志1990年10月号报导,苏联人好像正急于要用他们最好的东西来换取美国的半导体技术,而先......
1.序言超大规模集成电路的开发日趋激烈,最小图形为1μm的1Mbit DRAM(动态随机存取存储器)才投入批量生产,0.8μm的4MbitDRAM 样......
日本索尼公司已研制成成世界最高存取速度gns的高速16MbSRAM。在用于电路内信号放大的读出放大器中，由于采用输入阻抗小的反馈型电......
世界最高速１６ＭＳＲＡＭ据日本《电子材料》杂志１９９３年第４期报道，日本索尼公司已研制成世界最高存取速度９ｕｓ的１６ＭｂＳＲＡＭ。这种ＳＲＡＭ在电路内进行信号放大的读出放大器中......
本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson......
X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、......
根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜......
根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布,并在几种条件下进行了模拟数值计算,分析了斜照技......
阐述了光刻技术的发展及其分辨极限，对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。......
